功耗分析（Power Analysis)

芯片功耗分为静态功耗和动态功耗， 静态功耗指芯片晶体管 的 leakage power，动态功耗来源于器件翻转过程中产生的 internal power 和 switching power； LePower™ 支持 vector-less，VCD-based 和 mixed-mode 功耗分析；

在设计初期，可基于用户定义的平均翻转率进行 vectorless 功耗分析，评估芯片总功耗、各个模块的功耗及 leakage power是否异常，指导用户在设计初期进行性能优化；

在设计后期及签核阶段，可读入 VCD 文件进行 VCD-based 或mixed-mode功耗分析，输出最大功耗及其所处的仿真窗口，评估芯片在真实的翻转场景下最悲观的功耗情况；

用户可通过 GUI 查看芯片的 total power、leakage power、 power density 等热点图， 快速定位热点区域。

电压降分析（IR Analysis)

LePower™ 支持静态和动态电压降分析，可进行 vectorless, VCD-based 和 mixed-mode 三种模式的电压降计算，同时支持基于反标功耗的电压降分析。

静态电压降分析可用于设计早期指导布局规划和电源规划，在布局规划阶段，综合考虑各区域功耗密度，分析各区域的电压降，定位电压降较大的区域，指导 PG布线及供电点分布的优化；

动态电压降分析用于签核阶段，同时考虑芯片的电容效应，分析器件翻转过程中的瞬时压降，通过 VCD-based 动态电压降分析，模拟芯片在真实工作场景下的最大电压降，评估芯片电压降违例的风险；

LePower™ 可采用统计的方法，综合考虑设计的逻辑连接、翻转功耗、时序特征等，构造最悲观的翻转场景，进行 vectorless 动态电压降分析。

芯片电源模型（Die Power Model)

芯片电源模型 (DPM) 是一种全芯片的简化等效电路， 保留了芯片内器件及电源网络的本征特性，同时保留芯片在某一工作场景下内部器件翻转的动态电流信号；

LePower™ 可抽取芯片等效电源模型，采用模型降阶的方法，生成简化的 DPM，包含无源电路模型 (passive RC component) 和有源动态模型 (port current waveform)，可用于系统级电源完整性分析；

支持提取单端口，多端口和分区域多端口的等效电源模型，可在芯片设计的不同阶段，提取 DPM，用于加速 chip-PKG-PCB联合协同设计。

•  支持 def/lef/lib/spef/vcd 等标准设计文件，无缝接入设计流程；

•  支持国标 RC tech 文件 (Comprehensive Resistance and Capacitance Extraction, CRCX), 可基于 foundry tech 快速生成 crcx 文件。

分析流程

电源网络检查（Grid Check)

合理的电源规划是实现电源完整性的必要条件，随着工艺的演进，尤其是先进工艺条件下，所允许的器件电压降尤为严苛，绕线资源也越来越紧张，电源网络的连接性面临极大的挑战；

LePower™ 支持对电源网络进行电阻分析，报告网络中的开路短路缺陷，同时基于归一化的电阻分析，诊断电路中的弱连接；

LePower™ 可计算 instance 最短路径电阻和等效电阻。instance 最短路径电阻分析，可以快速定位连接较弱的 instance，如memory channel 区域或 block 边界附近，高层 PG 布线稀疏，导致区域内 instance 电源连接性差，最短路径电阻值较大；instance 等效电阻分析，可用于设计初期估算 instance 电压降，以尽早修复电压降热点区域。

电迁移检查（EM Check)

随着芯片工作时间的推移，由于金属线内的电子移动导致金属原子移位，引起金属线局部变窄或凸起，进而引起芯片性能下降或极端情况下引起开路短路；电迁移检查根据电流类型的不同，可分为 average EM， RMS EM， peak EM 三种形式。

LePower™ 支持对 PG 线 (PG EM) 和信号线 (signal EM) 进行电迁移检查，同时支持 average，RMS 和 peak 三种形式的检查，通过计算PG 线与信号线的电流密度，根据 foundry 提供的EM 规则文件，输出金属线和通孔的 EM 违例报告；

借助 GUI 显示，可快速定位 EM 违例的热点位置，诊断违例根源，指导用户针对性的进行 EM 修复，如增加金属线宽、采用更高层金属绕线、插入buffer 以减少扇出单元等方法。